2N1196 - описание и поиск аналогов

 

2N1196. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1196

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.015 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N1196

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1196 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N118A, 2N119, 2N1190, 2N1191, 2N1192, 2N1193, 2N1194, 2N1195, 2SA1837, 2N1197, 2N1198, 2N1199, 2N1199A, 2N120, 2N1200, 2N1201, 2N1202

 

 

 

 

↑ Back to Top
.