Биполярный транзистор 2N1196 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1196
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.015 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
Корпус транзистора: TO5
Другие транзисторы... 2N118A , 2N119 , 2N1190 , 2N1191 , 2N1192 , 2N1193 , 2N1194 , 2N1195 , B772 , 2N1197 , 2N1198 , 2N1199 , 2N1199A , 2N120 , 2N1200 , 2N1201 , 2N1202 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050