Биполярный транзистор HMBTA06 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: HMBTA06
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT-23
- подбор биполярного транзистора по параметрам
HMBTA06 Datasheet (PDF)
hmbta06.pdf

Spec. No. : HE6840HI-SINCERITYIssued Date : 1994.07.29Revised Date : 2004.09.16MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMBTA06NPN SILICON TRANSISTORDescriptionAmplifier TransistorSOT-23Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature...........................................................................................................................
hmbta14.pdf

Spec. No. : HE6841HI-SINCERITYIssued Date : 1994.07.29Revised Date : 2004.09.01MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMBTA14NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionDarlington Amplifier TransistorSOT-23Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature.......................................................................................................
hmbta94.pdf

Spec. No. : HN200209HI-SINCERITYIssued Date : 2000.11.01Revised Date : 2004.08.17MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMBTA94PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HMBTA94 is designed for application that requires high voltage.SOT-23Features High Breakdown Voltage: VCEO=400(Min.) at IC=1mA Complementary to HMBTA44Absolute Maximum Ratings Maximum Temp
hmbta13.pdf

Spec. No. : HE6842HI-SINCERITYIssued Date : 1994.07.29Revised Date : 2004.09.08MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMBTA13NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionDarlington Amplifier TransistorSOT-23Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature.......................................................................................................
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BD435S | FE3727 | KSD1362 | TK24B | BDX53E | BSX27 | BFN27
History: BD435S | FE3727 | KSD1362 | TK24B | BDX53E | BSX27 | BFN27



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet