Справочник транзисторов. HTIP112

 

Биполярный транзистор HTIP112 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HTIP112
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для HTIP112

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HTIP112 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  hsmc
 htip112.pdf pdf_icon

HTIP112

Spec. No. : HE200203HI-SINCERITYIssued Date : 2000.08.01Revised Date : 2004.11.19MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HTIP112NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionTO-220The HTIP112 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications. Darlington SchematicCAbsolute Maximum Ratings (TA=25C)B Maximum TemperaturesStorage Temp

 8.1. Size:43K  hsmc
 htip117.pdf pdf_icon

HTIP112

Spec. No. : HE200204HI-SINCERITYIssued Date : 2000.08.01Revised Date : 2004.11.19MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HTIP117PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionTO-220The HTIP117 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications. Darlington SchematicCAbsolute Maximum Ratings (TA=25C)B Maximum TemperaturesStorage Temp

 9.1. Size:50K  hsmc
 htip127.pdf pdf_icon

HTIP112

Spec. No. : HE6713HI-SINCERITYIssued Date : 1993.01.13Revised Date : 2004.11.19MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HTIP127PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionTO-220The HTIP127 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications. Darlington SchematicCAbsolute Maximum Ratings (TA=25C)B Maximum TemperaturesStorage Temper

 9.2. Size:48K  hsmc
 htip122.pdf pdf_icon

HTIP112

Spec. No. : HE6712HI-SINCERITYIssued Date : 1993.01.13Revised Date : 2004.11.19MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HTIP122NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionTO-220The HTIP122 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications. Darlington SchematicCAbsolute Maximum Ratings (TA=25C)B Maximum TemperaturesStorage Temper

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... HSD879 , HSD882 , HSD882S , HSD965 , HT112 , HT117 , HT772 , HT882 , 2SC2655 , HTIP117 , HTIP122 , HTIP127 , HTIP41C , HTIP42C , HUN2111 , HUN2112 , HUN2113 .

History: 2SA813S3

 

 
Back to Top

 


 
.