Справочник транзисторов. HTIP117

 

Биполярный транзистор HTIP117 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HTIP117
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO-220AB
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

HTIP117 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:43K  hsmc
 htip117.pdf pdf_icon

HTIP117

Spec. No. : HE200204HI-SINCERITYIssued Date : 2000.08.01Revised Date : 2004.11.19MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HTIP117PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionTO-220The HTIP117 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications. Darlington SchematicCAbsolute Maximum Ratings (TA=25C)B Maximum TemperaturesStorage Temp

 8.1. Size:52K  hsmc
 htip112.pdf pdf_icon

HTIP117

Spec. No. : HE200203HI-SINCERITYIssued Date : 2000.08.01Revised Date : 2004.11.19MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HTIP112NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionTO-220The HTIP112 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications. Darlington SchematicCAbsolute Maximum Ratings (TA=25C)B Maximum TemperaturesStorage Temp

 9.1. Size:50K  hsmc
 htip127.pdf pdf_icon

HTIP117

Spec. No. : HE6713HI-SINCERITYIssued Date : 1993.01.13Revised Date : 2004.11.19MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HTIP127PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionTO-220The HTIP127 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications. Darlington SchematicCAbsolute Maximum Ratings (TA=25C)B Maximum TemperaturesStorage Temper

 9.2. Size:48K  hsmc
 htip122.pdf pdf_icon

HTIP117

Spec. No. : HE6712HI-SINCERITYIssued Date : 1993.01.13Revised Date : 2004.11.19MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HTIP122NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionTO-220The HTIP122 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications. Darlington SchematicCAbsolute Maximum Ratings (TA=25C)B Maximum TemperaturesStorage Temper

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: PN4142 | SGSIF444 | BD536K | 50A02MH | 2SC466 | CDQ10006

 

 
Back to Top

 


 
.