Справочник транзисторов. HTIP117

 

Биполярный транзистор HTIP117 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HTIP117
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для HTIP117

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HTIP117 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:43K  hsmc
htip117.pdfpdf_icon

HTIP117

Spec. No. : HE200204HI-SINCERITYIssued Date : 2000.08.01Revised Date : 2004.11.19MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HTIP117PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionTO-220The HTIP117 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications. Darlington SchematicCAbsolute Maximum Ratings (TA=25C)B Maximum TemperaturesStorage Temp

 8.1. Size:52K  hsmc
htip112.pdfpdf_icon

HTIP117

Spec. No. : HE200203HI-SINCERITYIssued Date : 2000.08.01Revised Date : 2004.11.19MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HTIP112NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionTO-220The HTIP112 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications. Darlington SchematicCAbsolute Maximum Ratings (TA=25C)B Maximum TemperaturesStorage Temp

 9.1. Size:50K  hsmc
htip127.pdfpdf_icon

HTIP117

Spec. No. : HE6713HI-SINCERITYIssued Date : 1993.01.13Revised Date : 2004.11.19MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HTIP127PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionTO-220The HTIP127 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications. Darlington SchematicCAbsolute Maximum Ratings (TA=25C)B Maximum TemperaturesStorage Temper

 9.2. Size:48K  hsmc
htip122.pdfpdf_icon

HTIP117

Spec. No. : HE6712HI-SINCERITYIssued Date : 1993.01.13Revised Date : 2004.11.19MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HTIP122NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionTO-220The HTIP122 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications. Darlington SchematicCAbsolute Maximum Ratings (TA=25C)B Maximum TemperaturesStorage Temper

Другие транзисторы... HSD882 , HSD882S , HSD965 , HT112 , HT117 , HT772 , HT882 , HTIP112 , 2SD313 , HTIP122 , HTIP127 , HTIP41C , HTIP42C , HUN2111 , HUN2112 , HUN2113 , HUN2114 .

History: 2SB1057 | 2N120 | ZTX107

 

 
Back to Top

 


 
.