Справочник транзисторов. HTIP122

 

Биполярный транзистор HTIP122 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: HTIP122
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO-220AB

 Аналоги (замена) для HTIP122

 

 

HTIP122 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:48K  hsmc
htip122.pdf

HTIP122 HTIP122

Spec. No. : HE6712HI-SINCERITYIssued Date : 1993.01.13Revised Date : 2004.11.19MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HTIP122NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionTO-220The HTIP122 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications. Darlington SchematicCAbsolute Maximum Ratings (TA=25C)B Maximum TemperaturesStorage Temper

 8.1. Size:50K  hsmc
htip127.pdf

HTIP122 HTIP122

Spec. No. : HE6713HI-SINCERITYIssued Date : 1993.01.13Revised Date : 2004.11.19MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HTIP127PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionTO-220The HTIP127 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications. Darlington SchematicCAbsolute Maximum Ratings (TA=25C)B Maximum TemperaturesStorage Temper

 9.1. Size:43K  hsmc
htip117.pdf

HTIP122 HTIP122

Spec. No. : HE200204HI-SINCERITYIssued Date : 2000.08.01Revised Date : 2004.11.19MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HTIP117PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionTO-220The HTIP117 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications. Darlington SchematicCAbsolute Maximum Ratings (TA=25C)B Maximum TemperaturesStorage Temp

 9.2. Size:52K  hsmc
htip112.pdf

HTIP122 HTIP122

Spec. No. : HE200203HI-SINCERITYIssued Date : 2000.08.01Revised Date : 2004.11.19MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HTIP112NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionTO-220The HTIP112 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications. Darlington SchematicCAbsolute Maximum Ratings (TA=25C)B Maximum TemperaturesStorage Temp

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top