HTIP122 - описание и поиск аналогов

 

HTIP122. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HTIP122

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO-220AB

 Аналоги (замена) для HTIP122

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HTIP122 даташит

 ..1. Size:48K  hsmc
 htip122.pdf pdf_icon

HTIP122

Spec. No. HE6712 HI-SINCERITY Issued Date 1993.01.13 Revised Date 2004.11.19 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HTIP122 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description TO-220 The HTIP122 is designed for use in general purpose amplifier and low-speed switching applications. Darlington Schematic C Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) B Maximum Temperatures Storage Temper

 8.1. Size:50K  hsmc
 htip127.pdf pdf_icon

HTIP122

Spec. No. HE6713 HI-SINCERITY Issued Date 1993.01.13 Revised Date 2004.11.19 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HTIP127 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description TO-220 The HTIP127 is designed for use in general purpose amplifier and low-speed switching applications. Darlington Schematic C Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) B Maximum Temperatures Storage Temper

 9.1. Size:43K  hsmc
 htip117.pdf pdf_icon

HTIP122

Spec. No. HE200204 HI-SINCERITY Issued Date 2000.08.01 Revised Date 2004.11.19 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HTIP117 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description TO-220 The HTIP117 is designed for use in general purpose amplifier and low-speed switching applications. Darlington Schematic C Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) B Maximum Temperatures Storage Temp

 9.2. Size:52K  hsmc
 htip112.pdf pdf_icon

HTIP122

Spec. No. HE200203 HI-SINCERITY Issued Date 2000.08.01 Revised Date 2004.11.19 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HTIP112 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description TO-220 The HTIP112 is designed for use in general purpose amplifier and low-speed switching applications. Darlington Schematic C Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) B Maximum Temperatures Storage Temp

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: HSD882S, HSD965, HT112, HT117, HT772, HT882, HTIP112, HTIP117, 2SB817, HTIP127, HTIP41C, HTIP42C, HUN2111, HUN2112, HUN2113, HUN2114, HUN2115

 

 

 

 

↑ Back to Top
.