BC550A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BC550A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 110
Корпус транзистора: TO-92
Аналоги (замена) для BC550A
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BC550A даташит
bc546a bc546b bc546c bc547a bc547b bc547c bc548a bc548b bc548c bc549a bc549b bc549c bc550a bc550b bc550c.pdf
BC546A/B/C - BC550A/B/C Taiwan Semiconductor 500mW, NPN Small Signal Transistor FEATURES KEY PARAMETERS Low power loss, high efficiency PARAMETER VALUE UNIT Ideal for automated placement VCBO 30-80 V High surge current capability VCEO 30-65 V Compliant to RoHS directive 2011/65/EU and VEBO 6 V in accordance to WEEE 2002/96/EC Halogen-free accordi
bc549 bc550.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BC549B/D Low Noise Transistors NPN Silicon BC549B,C BC550B,C COLLECTOR 1 2 BASE 3 EMITTER 1 MAXIMUM RATINGS 2 3 Rating Symbol BC549 BC550 Unit CASE 29 04, STYLE 17 Collector Emitter Voltage VCEO 30 45 Vdc TO 92 (TO 226AA) Collector Base Voltage VCBO 30 50 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collec
bc549 bc550 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 BC549; BC550 NPN general purpose transistors 1999 Apr 22 Product specification Supersedes data of 1997 Jun 20 Philips Semiconductors Product specification NPN general purpose transistors BC549; BC550 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V). 1 emitter 2 base APPLICATIONS
bc546 bc547 bc548 bc549 bc550.pdf
BC546/547/548/549/550 Switching and Applications High Voltage BC546, VCEO=65V Low Noise BC549, BC550 Complement to BC556 ... BC560 TO-92 1 1. Collector 2. Base 3. Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage BC546 80 V BC547/550 50 V BC548/549 30 V VCE
Другие транзисторы: BC368-10, BC368-16, BC368-25, BC368BPL, BC369-10, BC369-16, BC369-25, BC4115, 2SC4793, BC637-16, BC638-16, BC639-16, BC640-16, BCX78-7, BCY79-10, BD135-25, BD136-25
History: FN1L3N | 2SC354 | 2SB1099 | 2N565 | 2N5262 | BC478A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet








