CD965P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CD965P

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для CD965P

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CD965P даташит

 9.1. Size:223K  cdil
 cd965.pdf pdf_icon

CD965P

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CD965 TO-92 Plastic Package B C E For Low Frequency Power Amplification ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 20 V VCBO Collector Base Voltage 40 V VEBO Emitter Base Voltage 7 V IC Collector Current

Другие транзисторы: CD9018F, CD9018G, CD9018H, CD9018I, CD9018J, CD909, CD9581, CD965, 8550, CD965Q, CD965R, CDA1585BC, CDB550, CDB550B, CDB550C, CF103, CIL187