Биполярный транзистор CMBT3903 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: CMBT3903
Маркировка: 1Y
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: SOT-23
- подбор биполярного транзистора по параметрам
CMBT3903 Datasheet (PDF)
cmbt3903 04.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySOT-23 Formed SMD Package CMBT3903CMBT3904SILICON EPITAXIAL TRANSISTORSNPN transistorsMarkingPACKAGE OUTLINE DETAILSCMBT3903 = 1Y ALL DIMENSIONS IN mmCMBT3904 = 1APin configuration1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR312ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCollectorbase voltage (o
cmbt3904e cmbt3906e.pdf

CMBT3904E NPNCMBT3906E PNPwww.centralsemi.comENHANCED SPECIFICATIONSURFACE MOUNTDESCRIPTION:COMPLEMENTARYThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMBT3904E SILICON TRANSISTORS(NPN) and CMBT3906E (PNP) are general purpose transistors with enhanced specifications. These devices are ideal for applications where ultra small size and power dissipation are the prime requirements. Packaged
cmbt3904e.pdf

CMBT3904E NPNCMBT3906E PNPwww.centralsemi.comENHANCED SPECIFICATIONSURFACE MOUNTDESCRIPTION:COMPLEMENTARYThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMBT3904E SILICON TRANSISTORS(NPN) and CMBT3906E (PNP) are general purpose transistors with enhanced specifications. These devices are ideal for applications where ultra small size and power dissipation are the prime requirements. Packaged
cmbt3906e.pdf

CMBT3904E NPNCMBT3906E PNPwww.centralsemi.comENHANCED SPECIFICATIONSURFACE MOUNTDESCRIPTION:COMPLEMENTARYThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMBT3904E SILICON TRANSISTORS(NPN) and CMBT3906E (PNP) are general purpose transistors with enhanced specifications. These devices are ideal for applications where ultra small size and power dissipation are the prime requirements. Packaged
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: BFX56 | 2N2857C1 | NSVMUN5312DW1T3G | 2SD2083 | 2SD1882 | BDX60-5 | BD244BG
History: BFX56 | 2N2857C1 | NSVMUN5312DW1T3G | 2SD2083 | 2SD1882 | BDX60-5 | BD244BG



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd526 | 2n4403 transistor equivalent | 2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors