Биполярный транзистор CSD73O - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CSD73O
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO-220
CSD73O Datasheet (PDF)
9.1. Size:292K cdil
csd73.pdf
csd73.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR CSD73TO - 220Plastic PackageLow Frequency High Power AmplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector - Base Voltage VCBO 100 VCollector- Emitter Voltage VCEO 60 VEmitter- Base Voltage VEBO 5VCollector Current IC 5ACollect
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
History: 2SA1352C | A1015 | 2SA1478F
