Биполярный транзистор C45C5 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: C45C5
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 125 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO-220
C45C5 Datasheet (PDF)
..1. Size:282K cdil
c45c5 c45c11.pdf
c45c5 c45c11.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTORS C45C5,11TO-220Designed for Various Specific and General Purpose Applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)DESCRIPTION SYMBOL C45C5 C45C11 UNITCollector -Emitter Voltage VCEO 45 80 VCollector -Emitter Voltage VCES 55 90 VEmitter Base Voltage VE
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
