Справочник транзисторов. CLD863

 

Биполярный транзистор CLD863 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: CLD863
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для CLD863

 

 

CLD863 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:120K  cdil
clb764 cld863.pdf

CLD863
CLD863

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CLB764 PNPCLD863 NPNTO-92Plastic PackageBCEVoltage Regulator, Relay Lamp Driver Electrical Equipment ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C )DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCBOCollector Base Voltage 60 VVCEOCollector Emitter Voltage 5

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top