Справочник транзисторов. CMBA857F

 

Биполярный транзистор CMBA857F Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CMBA857F
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для CMBA857F

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CMBA857F Datasheet (PDF)

 7.1. Size:129K  cdil
 cmba857.pdf pdf_icon

CMBA857F

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CMBA857SOT23PIN CONFIGURATION (PNP)1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR3MARKING : AS BELOW12ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 60 VCollector -Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter Base Voltage VEBO

 9.1. Size:129K  cdil
 cmba847.pdf pdf_icon

CMBA857F

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CMBA847SOT23PIN CONFIGURATION (NPN)1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR3 MARKING : AS BELOW12ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 50 VCollector -Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter Base Voltage VEB

Другие транзисторы... CLB764 , CLD667 , CLD667A , CLD863 , CMBA847E , CMBA847F , CMBA847G , CMBA857E , 2SC2655 , CMBT200 , CMBT200A , CMBT2369 , CMBT2484 , CMBT4123 , CMBT4124 , CMBT4125 , CMBT4126 .

History: 2SC4029O | BUR11 | JC549B | 2SC3914 | W21 | BC441-5 | DRA4114E

 

 
Back to Top

 


 
.