CMBT200A - описание и поиск аналогов

 

CMBT200A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CMBT200A

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для CMBT200A

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CMBT200A даташит

 7.1. Size:135K  cdil
cmbt200.pdfpdf_icon

CMBT200A

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CMBT200 CMBT200A PIN CONFIGURATION (PNP) 1 = BASE SOT23 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 MARKING AS BELOW 1 2 Designed for General Purpose Amplifier Applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise noted) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT

 9.1. Size:75K  rectron
cmbt2222a.pdfpdf_icon

CMBT200A

CMBT2222A NPN Silicon Planar Epitaxial Transistors Pin configuration 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR 3 1 2 Unit inch (mm) Absolute Maximum Ratings Symbol Value UNIT Collector-base voltage (open emitter) VCBO max 75 V Collector-emmitter voltage (open base) VCEO max 40 V Emmitter base voltage (open collector) VEBO max 6.0 V IC Collector current (d.c.) max 600 mA Total

 9.2. Size:79K  rectron
cmbt2907.pdfpdf_icon

CMBT200A

CMBT2907 PNP Silicon Planar Epitaxial Transistors Pin configuration 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR 3 1 2 Unit mm SOT-23 SMD Package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 oC unless specified otherwise) SYMBOL CMBT2907 CMBT2907A UNITS DESCRIPTION -VCEO Collector Emitter Voltage 40 60 Collector Base Voltage -VCBO 60 60 V -VEBO Emitter Base Voltage 5.0 5.0 -IC 600 mA Collector

 9.3. Size:291K  cdil
cmbt2222 a.pdfpdf_icon

CMBT200A

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SOT-23 Formed SMD Package CMBT2222 CMBT2222A SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS N P N silicon transistors Marking PACKAGE OUTLINE DETAILS CMBT2222 = lB ALL DIMENSIONS IN mm CMBT2222A = lP Pin configuration 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS CMBT2222 C

Другие транзисторы... CLD667A , CLD863 , CMBA847E , CMBA847F , CMBA847G , CMBA857E , CMBA857F , CMBT200 , 2SB817 , CMBT2369 , CMBT2484 , CMBT4123 , CMBT4124 , CMBT4125 , CMBT4126 , CMBT4401 , CMBT4403 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.