Справочник транзисторов. CMBT2484

 

Биполярный транзистор CMBT2484 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CMBT2484
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
   Корпус транзистора: SOT-23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

CMBT2484 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:130K  cdil
cmbt2484.pdfpdf_icon

CMBT2484

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR CMBT2484SOT23PIN CONFIGURATION (NPN)1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR3MARKING: 1U12LOW NOISE TRANSISTORABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 deg C)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 60 VCollector -Emitter Voltage VCEO 60 VEmi

 9.1. Size:75K  rectron
cmbt2222a.pdfpdf_icon

CMBT2484

CMBT2222ANPN Silicon Planar Epitaxial Transistors Pin configuration:1. BASE2. EMITTER3. COLLECTOR312Unit: inch (mm)Absolute Maximum RatingsSymbol Value UNITCollector-base voltage (open emitter)VCBOmax 75 VCollector-emmitter voltage (open base)VCEO max 40 VEmmitter base voltage (open collector)VEBO max 6.0 VICCollector current (d.c.) max 600 mATotal

 9.2. Size:79K  rectron
cmbt2907.pdfpdf_icon

CMBT2484

CMBT2907 PNP Silicon Planar Epitaxial Transistors Pin configuration:1. BASE2. EMITTER3. COLLECTOR312Unit: mmSOT-23 SMD PackageAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 oC unless specified otherwise) SYMBOL CMBT2907 CMBT2907A UNITSDESCRIPTION-VCEOCollector Emitter Voltage 40 60Collector Base Voltage -VCBO 60 60 V-VEBOEmitter Base Voltage 5.0 5.0-IC 600 mACollector

 9.3. Size:135K  cdil
cmbt200.pdfpdf_icon

CMBT2484

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CMBT200CMBT200APIN CONFIGURATION (PNP)1 = BASESOT232 = EMITTER3 = COLLECTOR3MARKING : AS BELOW12Designed for General Purpose Amplifier Applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise noted)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: 2SD2095 | MJ100BK100 | BLV91-SL | MMBT2907 | K2121B | STC1727 | JC548C

 

 
Back to Top

 


 
.