CMBT6517 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CMBT6517  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: SOT-23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CMBT6517

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CMBT6517 даташит

 ..1. Size:144K  cdil
 cmbt6517.pdf pdf_icon

CMBT6517

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SOT-23 Formed SMD Package CMBT6517 HIGH VOLTAGE TRANSISTOR N P N transistor Marking PACKAGE OUTLINE DETAILS CMBT6517 = 1Z ALL DIMENSIONS IN mm Pin configuration 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Collector base voltage (open emitter) VCBO max. 35

 8.1. Size:144K  cdil
 cmbt6520.pdf pdf_icon

CMBT6517

Другие транзисторы: CMBT4403, CMBT5087, CMBT5088, CMBT5089, CMBT5400, CMBT5401, CMBT5550, CMBT5551, BC556, CMBT6520, CMBT8050, CMBT8050C, CMBT8050D, CMBT8050E, CMBT8098, CMBT8099, CMBT847E