Биполярный транзистор CMBT8050 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CMBT8050
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT-23
CMBT8050 Datasheet (PDF)
cmbt8050.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CMBT8050 PIN CONFIGURATION (NPN)1 = BASESOT-232 = EMITTER3 = COLLECTOR3Formed SMD Package12ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCBOCollector Base Voltage 30 VVCEOCollector Emitter Voltage 25 VEmitter Base Voltage
cmbt8098 99.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CMBT8098CMBT8099PIN CONFIGURATION (NPN)1 = BASE2 = EMITTERSOT-233 = COLLECTOR3Formed SMD Package12MarkingCMBT8098- KACMBT8099- KBABSOLUTE MAXIMUM RATINGDESCRIPTION SYMBOL CMBT8098 CMBT8099 UNITSCollector Base Voltage VCBO 60 80 V
cmbt8550 c d e.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CMBT8550 PIN CONFIGURATION (PNP)SOT-231 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR Formed SMD Package312ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCBOCollector Base Voltage 30 VVCEOCollector Emitter Voltage 25 VEmitter Base Voltage V
cmbt857.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CMBT857PIN CONFIGURATION (PNP)SOT231 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR3MARKING: AS BELOW12ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 60 VCollector -Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter Base Voltage VEBO
cmbt8598 99.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySOT-23 Formed SMD PackageCMBT8598CMBT8599GENERAL PURPOSE TRANSISTORPNP transistorMarking PACKAGE OUTLINE DETAILSCMBT8598 = 2K ALL DIMENSIONS IN mmCMBT8599 = 2WPin configuration1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR312ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCMBT 8598 8599Collectorbas
cmbt847.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CMBT847SOT23PIN CONFIGURATION (NPN)1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR3MARKING: AS BELOW12ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 50 VCollector -Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter Base Voltage VEBO
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050