Справочник транзисторов. CMBT8050C

 

Биполярный транзистор CMBT8050C Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CMBT8050C
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

CMBT8050C Datasheet (PDF)

 6.1. Size:132K  cdil
 cmbt8050.pdf pdf_icon

CMBT8050C

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CMBT8050 PIN CONFIGURATION (NPN)1 = BASESOT-232 = EMITTER3 = COLLECTOR3Formed SMD Package12ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCBOCollector Base Voltage 30 VVCEOCollector Emitter Voltage 25 VEmitter Base Voltage

 8.1. Size:299K  cdil
 cmbt8098 99.pdf pdf_icon

CMBT8050C

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CMBT8098CMBT8099PIN CONFIGURATION (NPN)1 = BASE2 = EMITTERSOT-233 = COLLECTOR3Formed SMD Package12MarkingCMBT8098- KACMBT8099- KBABSOLUTE MAXIMUM RATINGDESCRIPTION SYMBOL CMBT8098 CMBT8099 UNITSCollector Base Voltage VCBO 60 80 V

 9.1. Size:276K  cdil
 cmbt8550 c d e.pdf pdf_icon

CMBT8050C

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CMBT8550 PIN CONFIGURATION (PNP)SOT-231 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR Formed SMD Package312ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCBOCollector Base Voltage 30 VVCEOCollector Emitter Voltage 25 VEmitter Base Voltage V

 9.2. Size:128K  cdil
 cmbt857.pdf pdf_icon

CMBT8050C

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CMBT857PIN CONFIGURATION (PNP)SOT231 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR3MARKING: AS BELOW12ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 60 VCollector -Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter Base Voltage VEBO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: DC8550D | BC727-40 | 2SB398 | 2SB1171 | 2SA2059 | 2SC3774-4 | 2SC4061

 

 
Back to Top

 


 
.