CMBT8050C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CMBT8050C  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CMBT8050C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CMBT8050C даташит

 6.1. Size:132K  cdil
 cmbt8050.pdf pdf_icon

CMBT8050C

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CMBT8050 PIN CONFIGURATION (NPN) 1 = BASE SOT-23 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 Formed SMD Package 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCBO Collector Base Voltage 30 V VCEO Collector Emitter Voltage 25 V Emitter Base Voltage

 8.1. Size:299K  cdil
 cmbt8098 99.pdf pdf_icon

CMBT8050C

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CMBT8098 CMBT8099 PIN CONFIGURATION (NPN) 1 = BASE 2 = EMITTER SOT-23 3 = COLLECTOR 3 Formed SMD Package 1 2 Marking CMBT8098- KA CMBT8099- KB ABSOLUTE MAXIMUM RATING DESCRIPTION SYMBOL CMBT8098 CMBT8099 UNITS Collector Base Voltage VCBO 60 80 V

 9.1. Size:276K  cdil
 cmbt8550 c d e.pdf pdf_icon

CMBT8050C

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CMBT8550 PIN CONFIGURATION (PNP) SOT-23 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR Formed SMD Package 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCBO Collector Base Voltage 30 V VCEO Collector Emitter Voltage 25 V Emitter Base Voltage V

 9.2. Size:128K  cdil
 cmbt857.pdf pdf_icon

CMBT8050C

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CMBT857 PIN CONFIGURATION (PNP) SOT23 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 MARKING AS BELOW 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 60 V Collector -Emitter Voltage VCEO 50 V Emitter Base Voltage VEBO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: CMBT5089, CMBT5400, CMBT5401, CMBT5550, CMBT5551, CMBT6517, CMBT6520, CMBT8050, 2SC2383, CMBT8050D, CMBT8050E, CMBT8098, CMBT8099, CMBT847E, CMBT847F, CMBT847G, CMBT8550