CMBT8098 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: CMBT8098 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75
Корпус транзистора: SOT-23
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для CMBT8098
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
CMBT8098 даташит
cmbt8098 99.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CMBT8098 CMBT8099 PIN CONFIGURATION (NPN) 1 = BASE 2 = EMITTER SOT-23 3 = COLLECTOR 3 Formed SMD Package 1 2 Marking CMBT8098- KA CMBT8099- KB ABSOLUTE MAXIMUM RATING DESCRIPTION SYMBOL CMBT8098 CMBT8099 UNITS Collector Base Voltage VCBO 60 80 V
cmbt8050.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CMBT8050 PIN CONFIGURATION (NPN) 1 = BASE SOT-23 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 Formed SMD Package 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCBO Collector Base Voltage 30 V VCEO Collector Emitter Voltage 25 V Emitter Base Voltage
cmbt8550 c d e.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CMBT8550 PIN CONFIGURATION (PNP) SOT-23 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR Formed SMD Package 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCBO Collector Base Voltage 30 V VCEO Collector Emitter Voltage 25 V Emitter Base Voltage V
cmbt857.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CMBT857 PIN CONFIGURATION (PNP) SOT23 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 MARKING AS BELOW 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 60 V Collector -Emitter Voltage VCEO 50 V Emitter Base Voltage VEBO
Другие транзисторы: CMBT5550, CMBT5551, CMBT6517, CMBT6520, CMBT8050, CMBT8050C, CMBT8050D, CMBT8050E, 2N2907, CMBT8099, CMBT847E, CMBT847F, CMBT847G, CMBT8550, CMBT8550C, CMBT8550D, CMBT857
History: CMBT5551
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3906 transistor equivalent | 2sc4883 | tip31a datasheet | d882 datasheet | tip29 transistor | s9014 transistor datasheet | 2sa1491 | 2sc1313 datasheet






