Справочник транзисторов. CMBT847F

 

Биполярный транзистор CMBT847F Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CMBT847F
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для CMBT847F

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CMBT847F Datasheet (PDF)

 7.1. Size:131K  cdil
 cmbt847.pdf pdf_icon

CMBT847F

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CMBT847SOT23PIN CONFIGURATION (NPN)1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR3MARKING: AS BELOW12ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 50 VCollector -Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter Base Voltage VEBO

 9.1. Size:299K  cdil
 cmbt8098 99.pdf pdf_icon

CMBT847F

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CMBT8098CMBT8099PIN CONFIGURATION (NPN)1 = BASE2 = EMITTERSOT-233 = COLLECTOR3Formed SMD Package12MarkingCMBT8098- KACMBT8099- KBABSOLUTE MAXIMUM RATINGDESCRIPTION SYMBOL CMBT8098 CMBT8099 UNITSCollector Base Voltage VCBO 60 80 V

 9.2. Size:276K  cdil
 cmbt8550 c d e.pdf pdf_icon

CMBT847F

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CMBT8550 PIN CONFIGURATION (PNP)SOT-231 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR Formed SMD Package312ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCBOCollector Base Voltage 30 VVCEOCollector Emitter Voltage 25 VEmitter Base Voltage V

 9.3. Size:132K  cdil
 cmbt8050.pdf pdf_icon

CMBT847F

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CMBT8050 PIN CONFIGURATION (NPN)1 = BASESOT-232 = EMITTER3 = COLLECTOR3Formed SMD Package12ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCBOCollector Base Voltage 30 VVCEOCollector Emitter Voltage 25 VEmitter Base Voltage

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... CMBT6520 , CMBT8050 , CMBT8050C , CMBT8050D , CMBT8050E , CMBT8098 , CMBT8099 , CMBT847E , TIP32C , CMBT847G , CMBT8550 , CMBT8550C , CMBT8550D , CMBT857 , CMBT857F , CMBT8598 , CMBT8599 .

 

 
Back to Top

 


 
.