CMMT551. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CMMT551

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для CMMT551

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CMMT551 даташит

 9.1. Size:131K  cdil
 cmmt591a.pdf pdf_icon

CMMT551

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CMMT591A SOT-23 PIN CONFIGURATION (PNP) 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 MARKING 59A 1 2 Complementary CMMT491A ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 40 V Collector -Emitter Voltage VCEO 40 V Emi

 9.2. Size:144K  cdil
 cmmt591.pdf pdf_icon

CMMT551

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SOT-23 Formed SMD Package CMMT591 SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS PNP transistor Marking CMMT = 591 Pin configuration 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Collector-base voltage (open emitter) VCBO max. 80 V Collector-emitter voltage (open base) VCEO max.

Другие транзисторы: CMBTA55, CMBTA56, CMBTH10, CML1207, CMMT451, CMMT491, CMMT493, CMMT495, 13007, CMMT591, CMMT591A, CN1, CN102, CN107, CN1933, CN300, CN301