Биполярный транзистор CMMT591A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CMMT591A
Маркировка: 59A
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: SOT-23
CMMT591A Datasheet (PDF)
cmmt591a.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CMMT591A SOT-23PIN CONFIGURATION (PNP)1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR3 MARKING: 59A12Complementary CMMT491AABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 40 VCollector -Emitter Voltage VCEO 40 VEmi
cmmt591.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySOT-23 Formed SMD Package CMMT591SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSPNP transistorMarkingCMMT = 591Pin configuration1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR312ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCollector-base voltage (open emitter) VCBO max. 80 VCollector-emitter voltage (open base) VCEO max.
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050