CN107. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CN107

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для CN107

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CN107 даташит

 ..1. Size:85K  cdil
 cn107.pdf pdf_icon

CN107

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CN 107 TO-92 CBE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 60 V Collector -Emitter Voltage VCEO 50 V Emitter Base Voltage VEBO 6.0 V Collector Current Continuous IC 100 mA Peak ICM 200 mA Total Power Dissipation

Другие транзисторы: CMMT491, CMMT493, CMMT495, CMMT551, CMMT591, CMMT591A, CN1, CN102, TIP42C, CN1933, CN300, CN301, CN302, CN303, CN304, CN450, CN451