CN1933. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CN1933

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO-220

 Аналоги (замена) для CN1933

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CN1933 даташит

 ..1. Size:113K  cdil
 cn1933.pdf pdf_icon

CN1933

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLASTIC POWER DARLINGTON TRANSISTOR CN1933 (9AW) TO-220 MARKING CN 1933 Low Freq. Power Amp. Built in Damper Diode Complementry CP1342 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 80 V Collector -Emitter Voltage VCEO 80 V Emitte

Другие транзисторы: CMMT493, CMMT495, CMMT551, CMMT591, CMMT591A, CN1, CN102, CN107, 13009, CN300, CN301, CN302, CN303, CN304, CN450, CN451, CN452