CN652. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CN652

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для CN652

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CN652 даташит

 ..1. Size:141K  cdil
 cn652 cn653.pdf pdf_icon

CN652

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CN652 / CN653 TO-92 Plastic Package C B E Use in Wide Variety of Industrial and Consumer Applications Including Lamp and Solenoid Drivers and Audio Amplifier Complementary CP752 and CP753 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C ) DESCRIPTION SYMBOL CN652 CN

Другие транзисторы: CN451, CN452, CN453, CN454, CN455, CN649, CN650, CN651, 2SC1815, CN653, CN654, CN655, CN656, CN657, CN8050, CN8050C, CN8050D