CN8550C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CN8550C

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для CN8550C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CN8550C даташит

 8.1. Size:227K  cdil
 cn8050 cn8550 c d.pdf pdf_icon

CN8550C

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CN8050 NPN CN8550 PNP TO-92 Plastic Package C B E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 25 V VCBO Collector Base Voltage 40 V VEBO Emitter Base Voltage 6.0 V IC Collector Current 800 mA ICM Peak Colle

Другие транзисторы: CN654, CN655, CN656, CN657, CN8050, CN8050C, CN8050D, CN8550, TIP31, CN8550D, CNL635, CNL637, CNL639, CO38P, CP107, CP1342, CP4