CP749. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CP749

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для CP749

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CP749 даташит

 ..1. Size:219K  cdil
 cp749.pdf pdf_icon

CP749

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CP749 TO-92 Plastic Package C B E Use in Wide Variety of Industrial and Consumer Applications Including Lamp and Solenoid Drivers and Audio Amplifier Complementary CN649 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCBO Collector Base Volta

Другие транзисторы: CP501, CP502, CP503, CP504, CP550, CP551, CP552, CP553, 2N4401, CP750, CP751, CP752, CP753, CP754, CP755, CP88B, CPBT720