CP755. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CP755

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для CP755

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CP755 даташит

 ..1. Size:143K  cdil
 cp754 cp755.pdf pdf_icon

CP755

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CP754 / CP755 TO-92 Plastic Package C B E Use in Wide Variety of Industrial and Consumer Applications Including Lamp and Solenoid Drivers and Audio Amplifier Complementary CN654 and CN655 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C ) DESCRIPTION SYMBOL CP754 CP

Другие транзисторы: CP552, CP553, CP749, CP750, CP751, CP752, CP753, CP754, TIP2955, CP88B, CPBT720, CPL636, CPL638, CPL640, CR13003, CSA1012, CSA1012Y