Биполярный транзистор CPL636 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CPL636
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO-92
CPL636 Datasheet (PDF)
..1. Size:346K cdil
cnl635 cpl636 cnl637 cpl638 cnl639 cpl640.pdf
cnl635 cpl636 cnl637 cpl638 cnl639 cpl640.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CNL635 CPL636CNL637 CPL638CNL639 CPL640NPN PNPTO-92Plastic PackageECBSuitable for Driver Stage of Audio AmplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C Unless Otherwise Specified)CNL635 CNL637 CNL639DESCRIPTION SYMBOL UNITCPL636 CPL638 CPL640Col
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
