CPL636. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CPL636

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для CPL636

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CPL636 даташит

 ..1. Size:346K  cdil
 cnl635 cpl636 cnl637 cpl638 cnl639 cpl640.pdf pdf_icon

CPL636

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CNL635 CPL636 CNL637 CPL638 CNL639 CPL640 NPN PNP TO-92 Plastic Package E CB Suitable for Driver Stage of Audio Amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C Unless Otherwise Specified) CNL635 CNL637 CNL639 DESCRIPTION SYMBOL UNIT CPL636 CPL638 CPL640 Col

Другие транзисторы: CP750, CP751, CP752, CP753, CP754, CP755, CP88B, CPBT720, 2SA1015, CPL638, CPL640, CR13003, CSA1012, CSA1012Y, CSA1015, CSA1015GR, CSA1015O