CSB1116. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSB1116

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 135

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для CSB1116

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSB1116 даташит

 ..1. Size:263K  cdil
 csb1116.pdf pdf_icon

CSB1116

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CSB1116 CSB1116A TO-92 BCE B C E Audio Frequency Power Amplifier And Medium Speed Switching Complementary CSD1616/1616A ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 deg C) DESCRIPTION SYMBOL CSB1116 CSB1116A UNIT Collector -Base Voltage VCBO 60 80 V Collector -Emitt

Другие транзисторы: CSA988E, CSA988F, CSA988P, CSAL1013, CSAL928A, CSB1058, CSB1058A, CSB1058B, 2SC5200, CSB1116A, CSB1116G, CSB1116L, CSB1116Y, CSB1181, CSB1182, CSB1184, CSB1272