CSB1272. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSB1272

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO-126

 Аналоги (замена) для CSB1272

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSB1272 даташит

 ..1. Size:64K  cdil
 csb1272.pdf pdf_icon

CSB1272

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLASTIC POWER DARLINGTON TRANSISTOR CSB1272 (9AW) TO126 MARKING CDIL B1272 Low Freq. Power Amp. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 100 V Collector -Emitter Voltage VCEO 100 V Emitter Base Voltage VEBO 8.0 V Collecto

Другие транзисторы: CSB1116, CSB1116A, CSB1116G, CSB1116L, CSB1116Y, CSB1181, CSB1182, CSB1184, 2N5401, CSB1370, CSB1370D, CSB1370E, CSB1370F, CSB1412, CSB1426, CSB1426P, CSB1426Q