CSB1426Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSB1426Q

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 240 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для CSB1426Q

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSB1426Q даташит

 7.1. Size:153K  cdil
 csb1426.pdf pdf_icon

CSB1426Q

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CSB1426 TO-92 Plastic Package B C E Low Frequency Power Amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT VCEO Collector Emitter Voltage 20 V VCBO Collector Base Voltage 20 V Emitter Base Voltage VE

 9.1. Size:65K  cdil
 csb1436.pdf pdf_icon

CSB1426Q

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLASTIC POWER TRANSISTOR CSB1436 (9AW) TO126 MARKING CDIL B1436 R Low Freq.Power AMP. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 30 V Collector -Emitter Voltage VCEO 20 V Emitter Base Voltage VEBO 6 V Collector Current (DC) I

Другие транзисторы: CSB1272, CSB1370, CSB1370D, CSB1370E, CSB1370F, CSB1412, CSB1426, CSB1426P, TIP122, CSB1426R, CSB1436, CSB1436P, CSB1436Q, CSB1436R, CSB1516, CSB1535, CSB1626