2N6175. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N6175
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 130 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 21 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO126
Аналоги (замена) для 2N6175
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N6175 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: 2N6134, 2N6135, 2N6136, 2N614, 2N615, 2N616, 2N6166, 2N617, 2SC4793, 2N6176, 2N6177, 2N6178, 2N6179, 2N618, 2N6180, 2N6181, 2N6182
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet
