Биполярный транзистор 2N6176 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2N6176
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 130 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 21 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO126
     - подбор биполярного транзистора по параметрам