Биполярный транзистор CSC1959Y - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CSC1959Y
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: TO-92
CSC1959Y Datasheet (PDF)
csc1959.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR CSC1959TO-92BCEBCEAudio Frequency Low Power Amplifier Applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C )DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 35 VCollector -Emitter Voltage VCEO 30 VEmitter Base Voltage VEBO 5.0 VCollector Curr
csc1906.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CSC1906TO-92Plastic PackageBCEVHF Amplifier Mixer, Local OscillatorABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCBOCollector Base Voltage 30 VVCEOCollector Emitter Voltage 19 VVEBOEmitter Base Voltage 2 VICCollector Curren
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: MP3569 | CSD669B | GT250-4D | XA131 | BVX18A | MP1531
History: MP3569 | CSD669B | GT250-4D | XA131 | BVX18A | MP1531
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050