CSC3331V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSC3331V

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для CSC3331V

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSC3331V даташит

 9.1. Size:378K  cdil
 csc3329 csa1316.pdf pdf_icon

CSC3331V

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CSC3329 TO-92 Plastic Package Complementary CSA1316 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 80 V VCBO Collector Base Voltage 80 V VEBO Emitter Base Voltage 5 V IC Col

Другие транзисторы: CSC3329BL, CSC3329GR, CSC3331, CSC3331R, CSC3331S, CSC3331T, CSC3331TU, CSC3331U, BD335, CSC3420, CSC3619, CSC380TMO, CSC383TM, CSC388ATM, CSC4115, CSC4115A, CSC4115B