CSC3420. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSC3420

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140

Корпус транзистора: TO-126

 Аналоги (замена) для CSC3420

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSC3420 даташит

 ..1. Size:74K  cdil
csc3420.pdfpdf_icon

CSC3420

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTOR CSC3420 TO-126 Plastic Package E C B Strobe Flash and Medium Power Amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) DESCRIPTION SYMBOL Value UNIT VCBO Collector Base Voltage 50 V VCES Collector Emitter Voltage 40 V Collector Emitter Voltage

Другие транзисторы: CSC3329GR, CSC3331, CSC3331R, CSC3331S, CSC3331T, CSC3331TU, CSC3331U, CSC3331V, A940, CSC3619, CSC380TMO, CSC383TM, CSC388ATM, CSC4115, CSC4115A, CSC4115B, CSC4115BC