CSC4115B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSC4115B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для CSC4115B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSC4115B даташит

 7.1. Size:83K  cdil
 csc4115.pdf pdf_icon

CSC4115B

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CSC4115 (9AW) TO-92 BCE MARKING CSC 4115 BC ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage BVCBO 40 V Collector Emitter Voltage BVCEO 20 V Emitter Base Voltage BVEBO 6.0 V Collect

Другие транзисторы: CSC3331V, CSC3420, CSC3619, CSC380TMO, CSC383TM, CSC388ATM, CSC4115, CSC4115A, BC558, CSC4115BC, CSC4115C, CSC4212, CSC4217D, CSC458, CSC458B, CSC458C, CSC458D