CSC815 - описание и поиск аналогов

 

CSC815. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSC815

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для CSC815

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSC815 даташит

 ..1. Size:179K  cdil
 csc815.pdf pdf_icon

CSC815

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR CSC815 TO-92 CBE Low Frequency Amplifier And High Frequency Oscillator. Complementary CSA539 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 60 V Collector -Emitter Voltage VCEO 45 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V

Другие транзисторы... CSC536G , CSC536H , CSC536K , CSC536KD , CSC536KE , CSC536KF , CSC536KG , CSC536KH , 2SC2240 , CSC815G , CSC815Q , CSC815R , CSC815Y , CSC945 , CSC945K , CSC945P , CSC945Q .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.