CSD401Y datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CSD401Y  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO-220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CSD401Y

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSD401Y даташит

 8.1. Size:376K  cdil
 csd401.pdf pdf_icon

CSD401Y

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company TO-220 Plastic Package CSD401 CSD401 NPN PLASTIC POWER TRANSISTOR Complementary CSB546 TV Vertical Deflection Output Applications PIN CONFIGURATION 4 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 4. COLLECTOR 1 2 3 C DIM MIN. MAX. B E F A 14.42 16.51 B 9.63 10.67 C 3.56 4.83 D0.90 E 1.15 1.40 1

 9.1. Size:825K  1
 csd40n70.pdf pdf_icon

CSD401Y

CSD40N70 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The CSD40N70 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a wide variety of applications. Schematic Diagram Features VDS = 40V,ID =60A R

Другие транзисторы: CSD363, CSD363O, CSD363R, CSD363Y, CSD401, CSD401G, CSD401O, CSD401R, C1815, CSD471A, CSD471AG, CSD471AO, CSD471AY, CSD471G, CSD471O, CSD471Y, CSD596