CSD882E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CSD882E  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO-126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CSD882E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSD882E даташит

 8.1. Size:243K  cdil
 csd882 p q.pdf pdf_icon

CSD882E

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN PLASTIC POWER TRANSISTOR CSD882 TO126 Plastic Package E C B Complementary CSB772 Audio Frequency Power Amplifier and Low Speed Switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT VCBO Collector Base Voltage(open emitter) >40

 9.1. Size:1176K  texas
 csd88537nd.pdf pdf_icon

CSD882E

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD88537ND ZHCSCQ9A JANUARY 2014 REVISED AUGUST 2014 CSD88537ND 60V N NexFET (MOSFET) 1 1 Qg Qgd TA = 25

 9.2. Size:1002K  texas
 csd88539nd.pdf pdf_icon

CSD882E

CSD88539ND SLPS456 FEBRUARY 2014 CSD88539ND, Dual 60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs 1 Features Product Summary 1 Ultra-Low Qg and Qgd TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Avalanche Rated VDS Drain-to-Source Voltage 60 V Pb Free Qg Gate Charge Total (10 V) 7.2 nC RoHS Compliant Qgd Gate Charge Gate to Drain 1.1 nC VGS = 6 V 27 m Halogen Free RDS(on) Drain-

 9.3. Size:300K  cdil
 csd880 gr y.pdf pdf_icon

CSD882E

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON POWER TRANSISTOR CSD880 TO-220 Audio Frequency Power Amplifier Applications. Complementary CSB834 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 60 V Collector -Emitter Voltage VCEO 60 V Emitter- Base Voltage VEBO 7.0 V Collector Curr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: CSD794Y, CSD811, CSD863, CSD880, CSD880GR, CSD880O, CSD880Y, CSD882, BC558, CSD882P, CSD882Q, CSD882R, CSDL468, CSL13003, CTU83, CVL639, CVL640