2N6197. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N6197
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: X28-1
Аналоги (замена) для 2N6197
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N6197 даташит
2n6190 2n6191 2n6192 2n6193.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824
2n6193lcc4.pdf
2N6193LCC4 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) PNP SILICON TRANSISTORS 9.14 (0.360) 1.27 (0.050) 8.64 (0.340) 1.07 (0.040) 2.16 (0.085) 12 13 14 15 16 1.39 (0.055) 1.02 (0.040) 11 17 10 18 7.62 (0.300) 7.12 (0.280) 9 1 0.76 (0.030) FEATURES 8 2 0.51 (0.020) Hermetically sealed ceramic surface 0.33 (0.013) Rad. 0.08 (0.003) 7 6 5 4 3 mount package 0.43 (0
2n6193alcc4.pdf
2N6193ALCC4 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) PNP SILICON TRANSISTORS 9.14 (0.360) 1.27 (0.050) 8.64 (0.340) 1.07 (0.040) 2.16 (0.085) 12 13 14 15 16 1.39 (0.055) 1.02 (0.040) 11 17 10 18 7.62 (0.300) 7.12 (0.280) 9 1 0.76 (0.030) FEATURES 8 2 0.51 (0.020) Hermetically sealed ceramic surface 0.33 (0.013) Rad. 0.08 (0.003) 7 6 5 4 3 mount package 0.43 (
2n6199.pdf
2N6199 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION PACKAGE STYLE .380" 4L STUD The ASI 2N6199 is Designed for VHF .112x45 A Class C Power Amplifier Applications C up to 250 MHz. B E E FEATURES C B PG = 10 dB Typical at 25 W/175 MHz I Load VSWR at Rated Conditions D H J Omnigold Metallization System G #8-32 UNC-2A F E MA
Другие транзисторы: 2N6190, 2N6191, 2N6192, 2N6193, 2N6193A, 2N6194, 2N6195, 2N6196, S9013, 2N6198, 2N6199, 2N61A, 2N61B, 2N61C, 2N62, 2N620, 2N6200
History: 2SA1312BL
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor







