Биполярный транзистор CD81 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CD81
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
Корпус транзистора: TO-126
CD81 Datasheet (PDF)
..1. Size:76K cdil
cd81.pdf
cd81.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON POWER TRANSISTOR CD81TO126 Plastic PackageEECCBBFor High Current Driver ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C )DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSCollector Base Voltage VCBO 30 VVCEOCollector Emitter Voltage 10 VEmitter Base Voltage VEBO 6.0 VCollector Cur
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
