CJD86 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJD86

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: TO-252 DPAK

 Аналоги (замена) для CJD86

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CJD86 даташит

 ..1. Size:142K  cdil
 cjd86.pdf pdf_icon

CJD86

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR CJD86 DPAK (TO-252) Plastic Package For High Speed Switching Application ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc=25 C ) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCBO Collector Base Voltage 60 V Collector Emitter Voltage VCEO 50 V Emitter Base Voltage VEBO 6.0 V Collector Current IC 3

Другие транзисторы: CJD176, CJD177, CJD178, CJD179, CJD180, CJD204R, CJD3439, CJD81, BC546, CJE13007, CJF100, CJF101, CJF102, CJF105, CJF106, CJF107, CMBTA42