Биполярный транзистор CJF102 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CJF102
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: TO-220FP
CJF102 Datasheet (PDF)
9.1. Size:227K cdil
cjf100 7.pdf
cjf100 7.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySILICON PLANAR POWER DARLINGTON TRANSISTORS NPN PNPCJF100 CJF105CJF101 CJF106CJF102 CJF107TO-220FP Full y IsolatedPlastic PackagePower Darlington for Linear and Switching ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL CJF100 CJF101 CJF102 UNITCJF105 CJF106 CJF107VCBOCollec
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , TIP142 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050