CSA1156 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CSA1156

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO-126

 Аналоги (замена) для CSA1156

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSA1156 даташит

 ..1. Size:90K  cdil
 csa1156.pdf pdf_icon

CSA1156

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTOR CSA1156 TO-126 Plastic Package E C B High Voltage Switching and Low Power Switching Regulator ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL Value UNIT Collector Base Voltage VCBO 350 V VCEO 350 Collector Emitter Voltage V VEBO 7.0 Emitter Base Voltage V

 9.1. Size:36K  cdil
 csa1162.pdf pdf_icon

CSA1156

IS/ISO 9002 IS / IECQC 700000 Lic# QSC/L- 000019.2 IS / IECQC 750100 Continental Device India Limited An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer SOT-23 Formed SMD Package CSA1162 LOW FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTOR P-N-P transistor Marking PACKAGE OUTLINE DETAILS ALL DIMENSIONS IN mm CSA1162Y 3E CSA1162GR(G) 3F Pin configuration 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLL

Другие транзисторы: CMBTA42, CMBTA44, CMBTA92, CN1016, CP1016, CP756, CP757, CRD13003BC, A1013, CSA1162GR, CSA1162Y, CSA1301F, CSA1301OF, CSA1301RF, CSA1302F, CSA1302OF, CSA1302RF