CSB1086B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSB1086B

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: TO-126

 Аналоги (замена) для CSB1086B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSB1086B даташит

 9.1. Size:229K  cdil
 csb1065.pdf pdf_icon

CSB1086B

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP PLASTIC POWER TRANSISTOR CSB1065 TO126 Plastic Package E C B Complementary CSD1506 Low Frequency Power Amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT VCBO Collector Base Voltage(open emitter) >60 V Collector Emitter Voltage (open b

 9.2. Size:235K  cdil
 csb1058.pdf pdf_icon

CSB1086B

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CSB1058 TO-92 BCE B C E Low Frequency Power Amplifier. Complementary CSD1489 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage BVCBO 20 V Collector Emitter Voltage BVCEO 16 V Emitter B

Другие транзисторы: CSB1065P, CSB1065Q, CSB1065R, CSB1086, CSB1086A, CSB1086AN, CSB1086AP, CSB1086AQ, 2SA1943, CSB1086N, CSB1086P, CSB1086Q, CSB1086R, CSB507, CSB507C, CSB507D, CSB507E