CSB858D - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

CSB858D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CSB858D
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: TO-220
 

 Аналоги (замена) для CSB858D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSB858D Datasheet (PDF)

 8.1. Size:156K  cdil
 csb857 csb858 csd1133 34.pdf pdf_icon

CSB858D

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyTO-220 Plastic Package CSB857, CSB858CSD1133, CSD1134CSB857, 858 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORSCSD1133, 1134 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORSLow frequency Power AmplifierPIN CONFIGURATION41. BASE2. COLLECTOR3. EMITTER4. COLLECTOR123CDIM MIN. MAX.B EFA 14.42 16.51B 9.63

 9.1. Size:207K  cdil
 csb856.pdf pdf_icon

CSB858D

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP PLASTIC POWER TRANSISTOR CSB856TO-220Plastic PackageLOW FREQUENCY POWER AMPLIFIERABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCEOCollector -Emitter Voltage 50 VVCBOCollector -Base Voltage 50 VVEBOEmitter Base Voltage 4.0 VICCollector Current Continuous 3.0 APDP

Другие транзисторы... CSB856C , CSB857 , CSB857B , CSB857C , CSB857D , CSB858 , CSB858B , CSB858C , BC546 , CSC1008 , CSC1008G , CSC1008O , CSC1008R , CSC1008Y , CSC1009 , CSC1009G , CSC1009O .

History: 2SB678

 

 
Back to Top

 


 
.