CSB858D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSB858D

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: TO-220

 Аналоги (замена) для CSB858D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSB858D даташит

 8.1. Size:156K  cdil
 csb857 csb858 csd1133 34.pdf pdf_icon

CSB858D

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company TO-220 Plastic Package CSB857, CSB858 CSD1133, CSD1134 CSB857, 858 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS CSD1133, 1134 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS Low frequency Power Amplifier PIN CONFIGURATION 4 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 4. COLLECTOR 1 2 3 C DIM MIN. MAX. B E F A 14.42 16.51 B 9.63

 9.1. Size:207K  cdil
 csb856.pdf pdf_icon

CSB858D

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP PLASTIC POWER TRANSISTOR CSB856 TO-220 Plastic Package LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT VCEO Collector -Emitter Voltage 50 V VCBO Collector -Base Voltage 50 V VEBO Emitter Base Voltage 4.0 V IC Collector Current Continuous 3.0 A PD P

Другие транзисторы: CSB856C, CSB857, CSB857B, CSB857C, CSB857D, CSB858, CSB858B, CSB858C, 2SA1837, CSC1008, CSC1008G, CSC1008O, CSC1008R, CSC1008Y, CSC1009, CSC1009G, CSC1009O