CSD1133B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSD1133B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO-220

 Аналоги (замена) для CSD1133B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSD1133B даташит

 7.1. Size:156K  cdil
 csb857 csb858 csd1133 34.pdf pdf_icon

CSD1133B

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company TO-220 Plastic Package CSB857, CSB858 CSD1133, CSD1134 CSB857, 858 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS CSD1133, 1134 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS Low frequency Power Amplifier PIN CONFIGURATION 4 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 4. COLLECTOR 1 2 3 C DIM MIN. MAX. B E F A 14.42 16.51 B 9.63

Другие транзисторы: CSC2712Y, CSC2713, CSC2713G, CSC2713L, CSC3280F, CSC3280OF, CSC3280RF, CSD1133, 2SC2383, CSD1133C, CSD1133D, CSD1134, CSD1134B, CSD1134C, CSD1134D, CSD288, CSD288O