CSD1306E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSD1306E

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 400

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для CSD1306E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSD1306E даташит

 7.1. Size:135K  cdil
 csd1306.pdf pdf_icon

CSD1306E

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CSD1306 (SAW) PIN CONFIGURATION (NPN) SOT-23 1 = BASE 2 = EMITTER Formed SMD Package 3 = COLLECTOR 3 1 2 Marking CSD1306E=06 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS Collector Base Voltage VCBO 30 V VCEO Collector Emitter Voltage 15

 8.1. Size:115K  cdil
 csd13002.pdf pdf_icon

CSD1306E

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL, HIGH SPEED, CSD13002 HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR TO-92 Plastic Package For Lead Free Parts, Devices Part # will be Perfixed with "T" B C E Applications Suitable for Lighting, Switching Regulator and Motor Control ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25 C ) DES

 9.1. Size:1297K  texas
 csd13383f4.pdf pdf_icon

CSD1306E

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD13383F4 SLPS517 DECEMBER 2014 CSD13383F4 12 V N-Channel FemtoFET MOSFET 1 Features Product Summary 1 Low On-Resistance TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Ultra Low Qg and Qgd VDS Drain-to-Source Voltage 12 V Ultra-Small Footprint (0402 Case Size) Qg Gate Charge Total (4.5 V) 2.0 n

 9.2. Size:1252K  texas
 csd13202q2.pdf pdf_icon

CSD1306E

CSD13202Q2 www.ti.com SLPS313 SEPTEMBER 2013 12V N-Channel NexFET Power MOSFETs Check for Samples CSD13202Q2 1 FEATURES PRODUCT SUMMARY 2 Ultralow Qg and Qgd VDS Drain to Source Voltage 12 V Low Thermal Resistance Qg Gate Charge Total (4.5V) 5.1 nC Avalanche Rated Qgd Gate Charge Gate to Drain 0.76 nC VGS = 2.5V 9.1 m Pb Free Terminal Plating RDS(on) D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: CSD1047F, CSD1047OF, CSD1047YF, CSD1168, CSD1168P, CSD1168Q, CSD13002, CSD1306D, 13003, CSD1306F, CSD1426F, CSD1506, CSD1506N, CSD1506P, CSD1506Q, CSD1506R, CSD1563