CSD545G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSD545G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 280

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для CSD545G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSD545G даташит

 8.1. Size:278K  cdil
 csd545.pdf pdf_icon

CSD545G

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR CSD545 TO-92 Plastic Package Low Frequencty Power Amplifier And Convertor Stage Applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector Emitter Voltage BVCEO 25 V Collector Base Voltage BVCBO 25 V Emitt

Другие транзисторы: CSD1616Y, CSD1638, CSD1833, CSD2495, CSD545, CSD545D, CSD545E, CSD545F, TIP42, CSL13002, MZT122, MZT127, MZT2955, TIP122F, TIP127F, TIP2955F, TIP2955HVF