Справочник транзисторов. CSD545G

 

Биполярный транзистор CSD545G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CSD545G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 280
   Корпус транзистора: TO-92
 

 Аналог (замена) для CSD545G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSD545G Datasheet (PDF)

 8.1. Size:278K  cdil
 csd545.pdf pdf_icon

CSD545G

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR CSD545TO-92Plastic PackageLow Frequencty Power Amplifier And Convertor Stage Applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Emitter Voltage BVCEO 25 VCollector Base Voltage BVCBO 25 VEmitt

Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .

History: 2N1749 | BU104D | LBC559BP | CSB1086AP | BDT64BF | LDTC114GET1G

 

 
Back to Top

 


 
.